Память энергонезависимая с последовательным интерфейсом. |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Формат памяти | EEPROMs - Serial |
Тип памяти | EEPROM |
Объем памяти | 64K (8K x 8) |
Скорость | 400kHz |
Интерфейс подключения | I²C, 2-Wire Serial |
Напряжение питания | 2.5 V ~ 5.5 V |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Корпус | 8-PDIP |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2200 UF 35V 105C 1625 (JWC | ||||||||
470 UF 35V 105C 1017 (JWCO | ||||||||
74AHC1G86GW | NXP | |||||||
74AHC1G86GW | PHILIPS | |||||||
74AHC1G86GW | FAIR | |||||||
74AHC1G86GW | 4.76 | |||||||
74AHC1G86GW | PHILIPS | 5 840 | ||||||
74AHC1G86GW | NXP | 4 393 | ||||||
74AHC1G86GW | NEXPERIA | 68 | ||||||
ULN2003ADR2G | 7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ... | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
ULN2003ADR2G | 7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ... | 2 240 | 12.86 | |||||
ULN2003ADR2G | 7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ... | ONS | ||||||
ULN2003ADR2G | 7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ... | 0.00 | ||||||
МКА-10110 ГР.0 | 12 477 | 25.07 | ||||||
МКА-10110 ГР.0 | РЯЗАНЬ | 1 056 | 44.00 |
|