Версия для печати

CD40192B CMOS Presettable BCD Up / down Counter (Dual Clock With Reset) Также в этом файле: CD40193BE Производитель: Texas Instruments //www.ti.com 40193BE datasheet 432.98Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3019		Транзистор биполярный малой мощности	ST MICROELECTRONICS
		2N3019		Транзистор биполярный малой мощности		4	124.80
		2N3019		Транзистор биполярный малой мощности	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N3019		Транзистор биполярный малой мощности	STMicroelectronics
		2N3019		Транзистор биполярный малой мощности	МАЛАЙЗИЯ
		2N3019		Транзистор биполярный малой мощности	CDIL
		2N3019		Транзистор биполярный малой мощности	1
		ADM233LJN		Интерфейс RS-232 120кБит/с С=1мкФ -40..+85C	ANALOG DEVICES
		ADM233LJN		Интерфейс RS-232 120кБит/с С=1мкФ -40..+85C			522.08
		DS1225AB-150		Энергонезависимая статич. память (NVSRAM) (8Kx8bit, 150ns, Vcc=+5V(5%), 0 to +70C)	MAXIM
		DS1225AB-150		Энергонезависимая статич. память (NVSRAM) (8Kx8bit, 150ns, Vcc=+5V(5%), 0 to +70C)	DALLAS
		DS1225AB-150		Энергонезависимая статич. память (NVSRAM) (8Kx8bit, 150ns, Vcc=+5V(5%), 0 to +70C)			507.20
		DS1225AB-150		Энергонезависимая статич. память (NVSRAM) (8Kx8bit, 150ns, Vcc=+5V(5%), 0 to +70C)	DALLAS
		DS1225AB-150		Энергонезависимая статич. память (NVSRAM) (8Kx8bit, 150ns, Vcc=+5V(5%), 0 to +70C)	Maxim Integrated Products
		NE556N			NEC
		NE556N			ST MICROELECTRONICS	266	48.45
		NE556N					33.68
		NE556N			ST MICROELECTRONICS SEMI
		NE556N			STMicroelectronics
		NE556N			Texas Instruments
		NE556N			TEXAS INSTRUMENTS	16
		NE556N			КИТАЙ
		NE556N			ST MICROELECTR
		NE556N			TEXAS
		NE556N			ST1
		NE556N			ST MICROELECTRO
		NE556N			TEXAS INSTRUMEN
		SCN2681AC1N40					41.60

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"