2 ОУ бипл., 325 МГц, 1150 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 3 мкВ/°С, 7 нВ/VГц, Iвх = 500 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 6 мА, Uп = 3...12,6 В, -40...+85°C, SOIC8. |
Корпус | 8-SOIC |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 3 V ~ 12 V, ±1.5 V ~ 6 V |
Ток выходной | 14mA |
Напряжение входного смещения | 1000µV |
Ток - входного смещения | 500nA |
Полоса пропускания -3Дб | 325MHz |
Скорость нарастания выходного напряжения | 1150 V/µs |
Число каналов | 2 |
Тип усилителя | Voltage Feedback |
Lead Free Status / RoHS Status | RoHS non-compliant |
|