|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0603-4.7К 5% |
|
ЧИП — резистор 100 мВт, 4,7 коОм, 5%, 1,*0,8*0,45
|
FAITHFUL LINK
|
|
|
|
|
|
0603-4.7К 5% |
|
ЧИП — резистор 100 мВт, 4,7 коОм, 5%, 1,*0,8*0,45
|
|
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
2N3019 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3019 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
|
4
|
124.80
|
|
|
|
2N3019 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3019 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3019 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
2N3019 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N3019 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
1
|
|
|
|
|
|
DS1225AB-150 |
|
Энергонезависимая статич. память (NVSRAM) (8Kx8bit, 150ns, Vcc=+5V(5%), 0 to +70C)
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS1225AB-150 |
|
Энергонезависимая статич. память (NVSRAM) (8Kx8bit, 150ns, Vcc=+5V(5%), 0 to +70C)
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS1225AB-150 |
|
Энергонезависимая статич. память (NVSRAM) (8Kx8bit, 150ns, Vcc=+5V(5%), 0 to +70C)
|
|
|
507.20
|
|
|
|
DS1225AB-150 |
|
Энергонезависимая статич. память (NVSRAM) (8Kx8bit, 150ns, Vcc=+5V(5%), 0 to +70C)
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS1225AB-150 |
|
Энергонезависимая статич. память (NVSRAM) (8Kx8bit, 150ns, Vcc=+5V(5%), 0 to +70C)
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
48.45
|
|
|
|
NE556N |
|
|
|
|
33.68
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
16
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
SCN2681AC1N40 |
|
|
|
|
41.60
|
|