|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
15.30
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
52
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON
|
1 353
|
10.75
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
|
25 852
|
15.84
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TRR
|
21 600
|
3.94
|
|
|
|
LM2731XMF/NOPB |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM2731XMF/NOPB |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2731XMF/NOPB |
|
|
National Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM2731XMF/NOPB |
|
|
|
|
|
|
|
|
LM2731XMF/NOPB |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM2731XMF/NOPB |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
|
|
47.44
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
M93S56-WMN6P |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M93S56-WMN6P |
|
|
|
|
92.80
|
|
|
|
M93S56-WMN6P |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M93S56-WMN6P |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
M93S56-WMN6P |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4
|
1.82
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
794
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
0.00
|
|
|
|