|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1000МКФ 25В (10X21) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25В
|
CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1000МКФ 25В (10X21) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25В
|
|
|
29.60
|
|
|
|
1000МКФ 35В (13X21) 105°C TK, JAMC |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 35В
|
CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1000МКФ 35В (13X21) 105°C TK, JAMC |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 35В
|
|
|
33.60
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
TOSHIBA
|
400
|
236.16
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
|
1 282
|
22.01
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
2SC4793 |
|
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...
|
ISC
|
363
|
84.08
|
|
|
|
CRCW08053K90JNEA |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
CRCW08053K90JNEA |
|
|
VISHAY
|
34 782
|
|
|
|
|
CRCW08053K90JNEA |
|
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
|
2 312
|
51.00
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
880
|
118.08
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
RUS
|
|
|
|