Версия для печати
Технические характеристики IR2111S

Корпус	8-SOICN
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Напряжение питания	10 V ~ 20 V
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)	600V
Число выходов	2
Число конфигураций	1
Ток пиковое значение	250mA
Время задержки	750ns
Тип входа	Non-Inverting
Конфигурация	High and Low Side, Synchronous
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

IR2111 HALF-BRIDGE DRIVER Также в этом файле: IR2111S, IR2111SPbF Производитель: International Rectifier //www.irf.com IR2111S datasheet 154.82Kb 15стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		HCPL3120-000E		Оптрон 1xCh, 2,5A, 3,75kV, CMRmin=15kV/чs, Vcm=1500V	AVAGO
		HCPL3120-000E		Оптрон 1xCh, 2,5A, 3,75kV, CMRmin=15kV/чs, Vcm=1500V
		HCPL3120-000E		Оптрон 1xCh, 2,5A, 3,75kV, CMRmin=15kV/чs, Vcm=1500V	BRO/AVAG
		HCPL3120-000E		Оптрон 1xCh, 2,5A, 3,75kV, CMRmin=15kV/чs, Vcm=1500V	1
		UC3845BN		Контроллер ШИМ для активации переключения источников питания	ON SEMICONDUCTOR	80	66.30
		UC3845BN		Контроллер ШИМ для активации переключения источников питания	ST MICROELECTRONICS
		UC3845BN		Контроллер ШИМ для активации переключения источников питания		3	150.00
		UC3845BN		Контроллер ШИМ для активации переключения источников питания	STMicroelectronics
		UC3845BN		Контроллер ШИМ для активации переключения источников питания	КИТАЙ
		UC3845BN		Контроллер ШИМ для активации переключения источников питания	ST MICROELECTR
		UC3845BN		Контроллер ШИМ для активации переключения источников питания	ST MICROELECTRO
		UC3845BN		Контроллер ШИМ для активации переключения источников питания	STMICROELECTR
		UC3845BN		Контроллер ШИМ для активации переключения источников питания	1
		VS-HFA25PB60			VISHAY
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...		2 312	51.00
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	ФОТОН	880	118.08
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	АЛЕСАНДРОВ
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	RUS
		КТ117Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа		290	123.20
		КТ117Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	КРИСТАЛЛ
		КТ117Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	УЛЬЯНОВСК	4 050	34.00
		КТ117Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	RUS
		КТ117Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	УРЛЗ	216	216.48
		КТ117Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	КАЛУГА

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"