IR2117S

Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IR2117S		150.24
IR2117S (4-7 НЕДЕЛЬ)	71	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IR2117S

Корпус	8-SOICN
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Напряжение питания	10 V ~ 20 V
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)	600V
Число выходов	1
Число конфигураций	1
Ток пиковое значение	250mA
Время задержки	125ns
Тип входа	Non-Inverting
Конфигурация	High-Side
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IR2117

SINGLE CHANNEL DRIVER

Также в этом файле: IR2117S

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IR2117S datasheet
83.48Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY	56	41.14
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А		1 899	24.52
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS	2 368	28.99
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS	80	28.35
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS	928	24.57
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц			16.04
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	UTC
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMicroelectronics
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ГЕРМАНИЯ
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	КИТАЙ
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMICROELECTR
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	HTC TAEJIN
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	1
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	IDCHIP	7 765	3.07
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	4-7 НЕДЕЛЬ	777
LMV431BIMF		NSC
LMV431BIMF		TEXAS INSTRUMENTS
LMV431BIMF
LMV431BIMF		4-7 НЕДЕЛЬ	256
MBRA140T3	Диод Шоттки smd (U=40V, I=1A, Vf=0.55V@1A, -55 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
MBRA140T3	Диод Шоттки smd (U=40V, I=1A, Vf=0.55V@1A, -55 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
STTA106U		SGS
STTA106U		ST MICROELECTRONICS
STTA106U				59.40
STTA106U		SGS THOMSON
STTA106U		STMicroelectronics