|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
MAXIM
|
1 144
|
79.80
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
DALLAS
|
43
|
79.80
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
|
|
128.56
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
DS
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
MAXIM/DALLAS
|
26
|
204.06
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
1
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
|
3 488
|
42.84
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAX/DALL
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAXIM INTEGR
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
YOUTAI
|
34 384
|
42.37
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
UMW
|
7 760
|
63.03
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MSKSEMI
|
9 183
|
39.10
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
DC COMPONENTS
|
22 372
|
2.10
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
|
21 200
|
1.26
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
998
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
RECTRON
|
105
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
КИТАЙ
|
400
|
6.98
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
NINGBO
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
WUXI XUYANG
|
1 034
|
2.65
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
HOTTECH
|
28 400
|
1 577.39
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
YANGJIE
|
12 000
|
1 814.40
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
1
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
NY
|
12 064
|
2.10
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
YJ
|
2 758
|
2.07
|
|
|
|
FR302 |
|
Импульсный диод 3А,100 В
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR302 |
|
Импульсный диод 3А,100 В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
FR302 |
|
Импульсный диод 3А,100 В
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
FR302 |
|
Импульсный диод 3А,100 В
|
|
7 336
|
4.60
|
|
|
|
FR302 |
|
Импульсный диод 3А,100 В
|
DIODES INC.
|
76
|
|
|
|
|
FR302 |
|
Импульсный диод 3А,100 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR302 |
|
Импульсный диод 3А,100 В
|
MIC
|
10 953
|
4.17
|
|
|
|
FR302 |
|
Импульсный диод 3А,100 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FR302 |
|
Импульсный диод 3А,100 В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
|
|
99.44
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
ИНДОНЕЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
КИТАЙ
|
|
|
|