![]() |
|
Корпус | 8-DIP |
Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Тип монтажа | Выводной |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Напряжение питания | 10 V ~ 20 V |
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 600V |
Число конфигураций | 1 |
Число выходов | 2 |
Ток пиковое значение | 125mA |
Тип входа | Self Oscillating |
Конфигурация | Half Bridge |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
IR2152 (Интерфейсы и соединения) Self-oscillating Half-bridge Driver
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
10 UF 63V 105C 511 |
![]() |
![]() |
||||||
![]() |
1N5821 (3A 30V) |
![]() |
![]() |
|||||
4093BN |
![]() |
![]() |
||||||
6Р4П | 367 | 80.00 | ||||||
6Р4П | ВИННИЦА | 4 | 70.00 | |||||
6Р4П | 1 |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
STGB10NB37LZ |
![]() |
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
STGB10NB37LZ |
![]() |
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 4 | 340.00 | ||
![]() |
![]() |
STGB10NB37LZ |
![]() |
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS SEMI |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
STGB10NB37LZ |
![]() |
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | STMicroelectronics |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
STGB10NB37LZ |
![]() |
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | КИТАЙ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
STGB10NB37LZ |
![]() |
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRO |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|