Версия для печати
Технические характеристики IR2184

Корпус	8-DIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Напряжение питания	10 V ~ 20 V
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)	600V
Число выходов	2
Число конфигураций	1
Ток пиковое значение	1.9A
Время задержки	680ns
Тип входа	Non-Inverting
Конфигурация	Half Bridge
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

IR2184 (Дискретные сигналы) HALF-BRIDGE DRIVER Также в этом файле: IR21844, IR21844S, IR2184S Производитель: International Rectifier //www.irf.com IR2184 datasheet 184.49Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	HITACHI
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный			40.00
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	UTC
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	HIT	141	57.86
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	UNISONIC
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	КИТАЙ
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	DE
		470МКФ 100 (16X25)105°C
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	FAI/QTC
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	FAIR
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	QTC	532	37.80
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	VISHAY
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%		20	35.15
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	FAIRCHILD	109	7.68
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	FAIRCHILD	14
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	Vishay/Semiconductors
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	Fairchild Optoelectronics Group
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	LITE-ON
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	EVLT
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	EVERLIGH
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	QT
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	EVERLIGHT
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	ONSEMICONDUCTOR
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	EVL
		4N33		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%	1
		IRFB42N20D		Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFB42N20D		Hexfet power mosfets discrete n-channel
		IRFB42N20D		Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFB42N20D		Hexfet power mosfets discrete n-channel	INFINEON
		SG3525AP		Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16	ST MICROELECTRONICS
		SG3525AP		Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16	ON SEMICONDUCTOR
		SG3525AP		Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16	ONS
		SG3525AP		Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16	STMicroelectronics
		SG3525AP		Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16			189.20
		SG3525AP		Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16	КИТАЙ
		SG3525AP		Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16	ST1
		SG3525AP		Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16	ST MICROELECTRO
		SG3525AP		Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16	YOUTAI	3 100	12.98
		SG3525AP		Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16	4-7 НЕДЕЛЬ	689

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"