Версия для печати
Технические характеристики L6598

Корпус	16-DIP
Корпус (размер)	16-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Напряжение выходное	600V
Напряжение входное	8 V ~ 16.6 V
Частотный диапозон	61.8 ~ 400kHz
Изоляция выхода	Isolated
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

L6598 (Источники питания с широтно-импульсной модуляцией) High Voltage Resonant Controller Также в этом файле: L6598D Производитель: STMicroelectronics //www.st.com L6598 datasheet 116.11Kb 16стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		HIS0169C		SMPS упpавление SMR 40200 C	SAMSUNG
		HIS0169C		SMPS упpавление SMR 40200 C	SAM
		HIS0169C		SMPS упpавление SMR 40200 C		1	378.00
		HIS0169C		SMPS упpавление SMR 40200 C	США
		HIS0169C		SMPS упpавление SMR 40200 C	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		HIS0169C		SMPS упpавление SMR 40200 C	SEC
		HIS0169C		SMPS упpавление SMR 40200 C	1
		MKP1V240G			ON SEMICONDUCTOR
		MKP1V240G			ONS
		MKP1V240G
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	ST MICROELECTRONICS	15	69.71
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	STMicroelectronics
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	ST MICROELECTRO
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	STMICROELECTRO
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		1 560	43.26
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
		TOP224PN		Микросхема ШИМ контр. импуль. блока питания	PWR
		TOP224PN		Микросхема ШИМ контр. импуль. блока питания	PI
		TOP224PN		Микросхема ШИМ контр. импуль. блока питания			300.00
		TOP224PN		Микросхема ШИМ контр. импуль. блока питания	Power Integrations
		TOP224PN		Микросхема ШИМ контр. импуль. блока питания	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		TOP224PN		Микросхема ШИМ контр. импуль. блока питания	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		TOP224PN		Микросхема ШИМ контр. импуль. блока питания	POWER INTEGRATI

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"