|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74LVC139D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74LVC139D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74)
|
|
|
36.32
|
|
|
|
74LVC139D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74LVC139D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74)
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
74LVC139D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
EPM3256ATC144-10N |
|
Плис семейства MAX3000, 5000 вентилей, 256 макроячеек, 116 линий ввода/вывода, ...
|
ALTERA
|
2
|
1 150.58
|
|
|
|
EPM3256ATC144-10N |
|
Плис семейства MAX3000, 5000 вентилей, 256 макроячеек, 116 линий ввода/вывода, ...
|
|
20
|
1 223.15
|
|
|
|
EPM3256ATC144-10N |
|
Плис семейства MAX3000, 5000 вентилей, 256 макроячеек, 116 линий ввода/вывода, ...
|
ALT
|
|
|
|
|
|
EPM3256ATC144-10N |
|
Плис семейства MAX3000, 5000 вентилей, 256 макроячеек, 116 линий ввода/вывода, ...
|
ALTERA
|
20
|
|
|
|
|
EPM3256ATC144-10N |
|
Плис семейства MAX3000, 5000 вентилей, 256 макроячеек, 116 линий ввода/вывода, ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
EPM3256ATC144-10N |
|
Плис семейства MAX3000, 5000 вентилей, 256 макроячеек, 116 линий ввода/вывода, ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
|
1 336
|
82.49
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
BROADCOM/AVAGO
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
BROADCOM
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
AVAGO/BROADCOM
|
336
|
89.54
|
|
|
|
HER307 |
|
Диод из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency Rectifiers) с малым временем ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER307 |
|
Диод из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency Rectifiers) с малым временем ...
|
DC COMPONENTS
|
2 271
|
8.54
|
|
|
|
HER307 |
|
Диод из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency Rectifiers) с малым временем ...
|
|
|
14.28
|
|
|
|
HER307 |
|
Диод из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency Rectifiers) с малым временем ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
HER307 |
|
Диод из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency Rectifiers) с малым временем ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
HER307 |
|
Диод из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency Rectifiers) с малым временем ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER307 |
|
Диод из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency Rectifiers) с малым временем ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER307 |
|
Диод из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency Rectifiers) с малым временем ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER307 |
|
Диод из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency Rectifiers) с малым временем ...
|
YJ
|
3 463
|
8.06
|
|
|
|
HER307 |
|
Диод из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency Rectifiers) с малым временем ...
|
MIC
|
1
|
5.34
|
|
|
|
HER307 |
|
Диод из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency Rectifiers) с малым временем ...
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER307 |
|
Диод из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency Rectifiers) с малым временем ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER307 |
|
Диод из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency Rectifiers) с малым временем ...
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
HER307 |
|
Диод из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency Rectifiers) с малым временем ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
LM1086CT-ADJ |
|
СН ``low drop``, подстраевыемый (Vref=1.25V, tol=1%, I=1.5A, Vin-out(max)=29V, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1086CT-ADJ |
|
СН ``low drop``, подстраевыемый (Vref=1.25V, tol=1%, I=1.5A, Vin-out(max)=29V, ...
|
|
12
|
168.00
|
|
|
|
LM1086CT-ADJ |
|
СН ``low drop``, подстраевыемый (Vref=1.25V, tol=1%, I=1.5A, Vin-out(max)=29V, ...
|
NSC
|
40
|
229.50
|
|
|
|
LM1086CT-ADJ |
|
СН ``low drop``, подстраевыемый (Vref=1.25V, tol=1%, I=1.5A, Vin-out(max)=29V, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1086CT-ADJ |
|
СН ``low drop``, подстраевыемый (Vref=1.25V, tol=1%, I=1.5A, Vin-out(max)=29V, ...
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM1086CT-ADJ |
|
СН ``low drop``, подстраевыемый (Vref=1.25V, tol=1%, I=1.5A, Vin-out(max)=29V, ...
|
TEXAS
|
|
|
|