|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV16WS (0.3A 75V) |
|
|
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILAB
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
|
|
240.00
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICON LABS
|
1 968
|
373.92
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SLAB
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICON LABS
|
5 587
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
Silicon Laboratories Inc
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICONLABS
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SLB
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFR120 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=9.4A@T=25C, Id=6.6A@T=100C, Rds=0.21 R, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFR120 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=9.4A@T=25C, Id=6.6A@T=100C, Rds=0.21 R, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
IRFR120 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=9.4A@T=25C, Id=6.6A@T=100C, Rds=0.21 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFR120 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=9.4A@T=25C, Id=6.6A@T=100C, Rds=0.21 R, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFR120 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=9.4A@T=25C, Id=6.6A@T=100C, Rds=0.21 R, ...
|
|
|
48.00
|
|
|
|
IRFR120 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=9.4A@T=25C, Id=6.6A@T=100C, Rds=0.21 R, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFR120 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=9.4A@T=25C, Id=6.6A@T=100C, Rds=0.21 R, ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFR120 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=9.4A@T=25C, Id=6.6A@T=100C, Rds=0.21 R, ...
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
|
3
|
152.40
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
24
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NS
|
20
|
150.00
|
|
|
|
SMAJ6.0A |
|
защитный диод 6В 400Вт SMD
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
SMAJ6.0A |
|
защитный диод 6В 400Вт SMD
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SMAJ6.0A |
|
защитный диод 6В 400Вт SMD
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
SMAJ6.0A |
|
защитный диод 6В 400Вт SMD
|
|
7 440
|
2.86
|
|
|
|
SMAJ6.0A |
|
защитный диод 6В 400Вт SMD
|
LITTELFUSE
|
12
|
|
|
|
|
SMAJ6.0A |
|
защитный диод 6В 400Вт SMD
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
SMAJ6.0A |
|
защитный диод 6В 400Вт SMD
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
SMAJ6.0A |
|
защитный диод 6В 400Вт SMD
|
LTL
|
|
|
|
|
|
SMAJ6.0A |
|
защитный диод 6В 400Вт SMD
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SMAJ6.0A |
|
защитный диод 6В 400Вт SMD
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
SMAJ6.0A |
|
защитный диод 6В 400Вт SMD
|
TSC
|
|
|
|
|
|
SMAJ6.0A |
|
защитный диод 6В 400Вт SMD
|
YJ
|
76 526
|
3.35
|
|
|
|
SMAJ6.0A |
|
защитный диод 6В 400Вт SMD
|
BRIGHTKING
|
|
|
|
|
|
SMAJ6.0A |
|
защитный диод 6В 400Вт SMD
|
JJM
|
3 958
|
5.33
|
|
|
|
SMAJ6.0A |
|
защитный диод 6В 400Вт SMD
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SMAJ6.0A |
|
защитный диод 6В 400Вт SMD
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SMAJ6.0A |
|
защитный диод 6В 400Вт SMD
|
HOTTECH
|
6 540
|
3.44
|
|