|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
|
24 737
|
1.63
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 955
|
4.36
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
DC COMPONENTS
|
8 524
|
3.82
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
FAIRCHILD
|
246
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
172
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MOTOROLA
|
4
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
35
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
FAGOR
|
16
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
КИТАЙ
|
26
|
12.75
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MASTER INSTRUMENT
|
400
|
12.75
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MIG
|
3 608
|
3.00
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
LGE
|
3 200
|
1.97
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MIC
|
6 534
|
4.17
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
YANGJIE
|
8 000
|
2.18
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
HOTTECH
|
6 115
|
2.70
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
TRR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
1
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
2 868
|
2.46
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
11.73
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
2 970
|
3.19
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
22 464
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
26
|
9.69
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
2.18
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
NXP
|
128
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ISC
|
800
|
60.98
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
|
1
|
64.80
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
1
|
|
|
|
|
|
LP2951 |
|
|
UTC
|
|
|
|
|
|
ST13009 |
|
Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
ST13009 |
|
Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS
|
|
|
74.80
|
|
|
|
ST13009 |
|
Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
ST13009 |
|
Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS
|
ST1
|
|
|
|
|
|
ST13009 |
|
Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|