Версия для печати
Технические характеристики LM2936DT-5.0

Корпус	TO-252-3
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Ток выходной	50mA
Число регуляторов	1
Напряжение - падение (Typ.)	0.2V @ 50mA
Напряжение входное	Up to 40V
Напряжение выходное	5V
Топология регулятора	Positive Fixed
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

LM2936-5.0 Ultra-Low Quiescent Current 5V Regulator Также в этом файле: LM2936DT-5.0 Производитель: National Semiconductor //www.national.com LM2936DT-5.0 datasheet 334.74Kb 9стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Регуляторы напряжения

 » 

Регуляторы напряжения линейные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AQY221N1S			PAN
		AQY221N1S			Panasonic Electric Works
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	NXP
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	PHILIPS
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	DC COMPONENTS	128 079	2.19
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	DIOTEC	33 876	5.67
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	SEMICRON
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)		12 000	1.80
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	PHILIPS
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	Fairchild Semiconductor
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	FAIRCHILD
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	MCC
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	FAIR
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	NXP
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	NEXPERIA
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	VISHAY
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	ONS-FAIR
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	ONS
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	HOTTECH	110 137	3.06
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	LGE	55 878	2.02
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	PANJIT
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	SEMTECH	16	2.77
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	KLS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	200	1.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DC COMPONENTS	23 471	2.27
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ON SEMICONDUCTOR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MCC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIOTEC	15 560	3.41
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ONS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON	240
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 212
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS	976
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	КИТАЙ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	МАЛАЙЗИЯ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON TECH
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DI
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KINGTRON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц		118 895	1.52  >100 шт.   0.76
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIODES
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PANJIT
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY ME	135	1.19
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	HOTTECH	438 319	1.56  >100 шт.   0.78
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	LRC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH / NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KLS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGJIE (YJ)
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEX-NXP	88 000	3.10
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SEMTECH	3 026	1.22
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YJ	909 293	1.13
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH/NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	CTK	2 551	1.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	RUME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	OLITECH ELECTRONICS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SUNTAN	125 479	1.40  >100 шт.   0.70
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEXPERIA	536 528	1.28
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	16	1.08
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)		7 160	13.33
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	1 311
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	КИТАЙ
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INFINEON
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	1
		LT1781CS			LTC
		LT1781CS			LINEAR TECHNOLOGY
		LT1781CS					672.00
		LT1781CS			LINEAR TECHNOLOGY	100
		LT1781CS			4-7 НЕДЕЛЬ	516

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"