|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADG821BRMZ |
|
2 ключа на два направления, Uп=1.8:5.5В, 30МГц, tвкл=40нс, tвыкл =16нс, -40°C..+85°C, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADG821BRMZ |
|
2 ключа на два направления, Uп=1.8:5.5В, 30МГц, tвкл=40нс, tвыкл =16нс, -40°C..+85°C, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADG821BRMZ |
|
2 ключа на два направления, Uп=1.8:5.5В, 30МГц, tвкл=40нс, tвыкл =16нс, -40°C..+85°C, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADG821BRMZ |
|
2 ключа на два направления, Uп=1.8:5.5В, 30МГц, tвкл=40нс, tвыкл =16нс, -40°C..+85°C, ...
|
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
294 804
|
2.21
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
64 805
|
2.42
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 874
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
735 865
|
1.01
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
397 593
|
1.32
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.50
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
13 257
|
2.01
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 249 956
|
1.27
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
426 707
|
1.37
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
997 968
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
36 704
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 910
|
1.60
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
|
|
15.04
|
|
|
|
BF494 |
|
Транзистор NPN, 20В, ТО92
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BF494 |
|
Транзистор NPN, 20В, ТО92
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF494 |
|
Транзистор NPN, 20В, ТО92
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BF494 |
|
Транзистор NPN, 20В, ТО92
|
|
|
12.28
|
|
|
|
BF494 |
|
Транзистор NPN, 20В, ТО92
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BF494 |
|
Транзистор NPN, 20В, ТО92
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF494 |
|
Транзистор NPN, 20В, ТО92
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BF494 |
|
Транзистор NPN, 20В, ТО92
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
CD4047BCN-NS |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
CD4047BCN-NS |
|
|
|
|
|
|