|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD620BNZ |
|
Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD620BNZ |
|
Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
|
|
1 362.40
|
|
|
|
AD620BNZ |
|
Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD620BNZ |
|
Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD620BNZ |
|
Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
AD620BNZ |
|
Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
AD620BNZ |
|
Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
AD1
|
|
|
|
|
|
AD620BNZ |
|
Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
AD680JTZ |
|
Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD680JTZ |
|
Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD680JTZ |
|
Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
|
|
|
|
|
|
|
AD680JTZ |
|
Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD680JTZ |
|
Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD680JTZ |
|
Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
|
|
|
|
|
|
|
ADG411BNZ |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADG411BNZ |
|
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADG411BNZ |
|
|
|
|
|
|
|
|
ADG411BNZ |
|
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
|
180
|
440.00
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TS80C31X2-MCB |
|
|
ATM
|
|
|
|
|
|
TS80C31X2-MCB |
|
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
TS80C31X2-MCB |
|
|
|
|
273.28
|
|