|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
DC COMPONENTS
|
5 050
|
3.15
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
|
|
12.24
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
NXP
|
14
|
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BAT85 |
|
Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35
|
PHILIPS
|
22 181
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
|
45
|
8.40
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
20 792
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
LGE
|
10 800
|
1.01
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
ST MICROELECTRONICS
|
783
|
1.31
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
WUXI XUYANG
|
5 291
|
2.47
|
|
|
|
КР1426УД1 |
|
|
|
96
|
17.60
|
|
|
|
КР1426УД1 |
|
|
ТОНДИ
|
|
|
|
|
|
КУ202Г |
|
Тиристор кремниевый, планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый
|
|
|
46.08
|
|
|
|
КУ202Г |
|
Тиристор кремниевый, планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
КУ202Г |
|
Тиристор кремниевый, планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
КУ202Г |
|
Тиристор кремниевый, планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
|
3
|
72.00
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
СЗТП
|
52
|
173.40
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КУ202Н1 |
|
Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый
|
РОССИЯ
|
|
|
|