|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NXP
|
5 158
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS
|
78 221
|
1.05
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GULF SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DC COMPONENTS
|
847
|
2.27
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВТР
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DIOTEC
|
177 133
|
1.72
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ST MICROELECTRONICS
|
29 647
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MIC
|
4 724
|
1.06
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DI
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD
|
7 906
|
1.05
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD
|
2 439
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GULF SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
OTHER
|
256
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YANGJIE
|
4 000
|
740.50
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
КИТАЙ
|
51 200
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
|
171 059
|
5.55
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SEMTECH
|
105 245
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ONS
|
37 783
|
2.61
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YJ
|
197 409
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KATO
|
800
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SEHTECH
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
51 612
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 332
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
HOTTECH
|
113 380
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MIG
|
17 439
|
1.05
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)
|
21 425
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LGE
|
8 334
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RUME
|
119 600
|
612.36
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
|
88
|
907.20
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
МИНСК
|
9
|
1 008.00
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 402
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313A-PU |
|
Микроконтроллер 128 байт EEPROM, 2Кбайт flash, 128 х 8 бит SRAM, 20МГц
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313A-PU |
|
Микроконтроллер 128 байт EEPROM, 2Кбайт flash, 128 х 8 бит SRAM, 20МГц
|
|
317
|
209.65
|
|
|
|
ATTINY2313A-PU |
|
Микроконтроллер 128 байт EEPROM, 2Кбайт flash, 128 х 8 бит SRAM, 20МГц
|
MICRO CHIP
|
4 712
|
221.50
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 469
|
56.77
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
|
|
40.56
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
MOTOROLA
|
17
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
США
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
PIC16F1827-I/P |
|
|
MICRO CHIP
|
104
|
395.82
|
|
|
|
PIC16F1827-I/P |
|
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F1827-I/P |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F1827-I/P |
|
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|