THS4511RGT
|
|
Версия для печати
| Корпус | 16-QFN-EP (3x3) |
| Корпус (размер) | 16-VFQFN Exposed Pad |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 3.75 V ~ 5.25 V |
| Ток выходной / канал | 96mA |
| Ток выходной | 39.2mA |
| Напряжение входного смещения | 1000µV |
| Ток - входного смещения | 8µA |
| Полоса пропускания -3Дб | 1.6GHz |
| Полоса пропускания | 2GHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 4900 V/µs |
| Тип выхода | Differential |
| Число каналов | 1 |
| Тип усилителя | Differential |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
THS4511 WIDEBAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION FULLY DIFFERENTIAL AMPLIFIER Также в этом файле: THS4511RGT, THS4511RGTR, THS4511RGTRG4, THS4511RGTT, THS4511RGTTG4
Производитель:
|
