TL082CD


Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input

Купить TL082CD по цене 45.90 руб.  (без НДС 20%)
TL082CD  Двухканальный операционный усилитель с...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
TL082CD (ST MICROELECTRONICS) 266 45.90 
TL082CD 13 43.20 

 Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом для работы в бытовом диапазоне температур (0..+70°С). Входные каскады TL082 выполнены на полевых транзисторах, что обеспечивает высокое входное сопротивление ОУ.

                                                                                                 Мин.       Тип.      Макс.
Напряжение смещения                                                                            ±3mV  ±10mV
Температурный дрейф напряжения смещения                                      10µV/°C
Синфазный входной ток                                                                          20pA   400pA
Дифференциальный входной ток                                                             5pA    100pA
Входное сопртивление                                                                          10¹²om
Выходной ток (к.з.)                                                                    10mA     40mA    60mA
Коэффициент ослабления синфазных помех                             70dB      86dB 
Коэффициент ослабления нестабильности питания                   70dB      86dB
Ослабление сигнала других каналов                                                      120dB
Коэффициент усиления по напряжению на большом сигнале 25V/mV 200V/mV
Диапазон входных напряжений                                                  ±11V +15V-12V
Размах выходного напряжения                                                  ±10V±13,5 
Ток потребления(на один усилитель)                                                      1,4mA    2,5mA
Коэффициент гармонических искажений                                                 0,01%
Допустимая скорость нарастания                                              8V/µS     16V/µS 
Граничная частота                                                                    2MHz      3MHz
Предельные режимы TL082CN/TL082CD:
Напряжение питания±18V
Входное напряжение±15V
Дифференциальноевходное напряжение±30V
Диапазон температур0..+70°С
* Допускается длительное короткое замыкание выхода на "землю" или любой из выводов питания. 
Версия для печати

Технические характеристики TL082CD

Корпус8-SOIC
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаПоверхностный
Рабочая температура0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)7 V ~ 36 V, ±3.5 V ~ 18 V
Ток выходной1.4mA
Напряжение входного смещения3000µV
Ток - входного смещения30pA
Полоса пропускания3MHz
Скорость нарастания выходного напряжения13 V/µs
Число каналов2
Тип усилителяJ-FET
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Ток выходной / канал40mA
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

TL082

JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

Также в этом файле: TL082CD, TL082CDR

Производитель:
Texas Instruments
//www.ti.com

TL082CD datasheet
464.35Kb
29стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   DIOTEC 290 434 2.28 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   DC COMPONENTS 139 045 2.48 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   GALAXY Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   MCC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)     64 874 1.40 
>100 шт.   0.70 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   FAIRCHILD 325 цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   LI-SION TECHNOLOGY INC. Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   KEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   NXP 4 345 цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   DIOTEC SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   PANJIT 27 200 цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   INFINEON 800 6.63 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   GALAXY ME Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   HOTTECH 592 481 1.04 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   ARK Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   АЛЕКСАНДРОВ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   KLS 560 1.75 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   NEXPERIA 394 692 1.36 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   DIODES Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   YANGJIE (YJ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   PANJIT 1 1.55 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   SEMTECH 342 1.74 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   PJ 13 257 1.45 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   YANGJIE 232 800 1.30 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   YJ 1 236 356 1.28 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   JSCJ 409 555 1.36 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   NXP/NEXPERIA Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   TRR 120 000 1.96 
>100 шт.   0.98 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   SUNTAN 1 173 852 1.96 
>100 шт.   0.98 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   JINGDAO 36 704 1.50 
>100 шт.   0.75 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   TRR ELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   HOTTECCN 1 910 1.60 
BF998 Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF998 Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF998 Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF998 Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт     Заказ радиодеталей 34.40 
BF998 Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF998 Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF998 Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6402 Транзистор полевой P-канальный MOSFET   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6402 Транзистор полевой P-канальный MOSFET     61 844 4.18 
IRLML6402 Транзистор полевой P-канальный MOSFET   ФИЛИППИНЫ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6402 Транзистор полевой P-канальный MOSFET   YOUTAI 124 876 4.00 
IRLML6402 Транзистор полевой P-канальный MOSFET   HUASHUO 14 493 6.01 
IRLML6402 Транзистор полевой P-канальный MOSFET   HOTTECH 441 326 4.92 
IRLML6402 Транзистор полевой P-канальный MOSFET   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6402 Транзистор полевой P-канальный MOSFET   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6402 Транзистор полевой P-канальный MOSFET   INFINEON 75 15.72 
IRLML6402 Транзистор полевой P-канальный MOSFET   SUNTAN 293 642 10.12 
IRLML6402 Транзистор полевой P-канальный MOSFET   UMW 29 600 3.94 
LM311DR Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM311DR Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс   TEXAS INSTRUMENTS 4 084 27.55 
LM311DR Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс     8 809 31.68 
LM311DR Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс   TEXAS INSTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM311DR Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс   TEXAS INSTRUMENTS 108 цена радиодетали
LM311DR Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс   TEXAS INSTRUMEN Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM311DR Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс   TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM311DR Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс   TEXASINSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM311DR Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс   XINBOLE 9 662 16.00 
PIC16F876A-I/SO Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz   MICRO CHIP 43 700.00 
PIC16F876A-I/SO Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz     107 539.33 
PIC16F876A-I/SO Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz   MICRO CHIP Заказ радиодеталей цена радиодетали
PIC16F876A-I/SO Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz   Microchip Technology Заказ радиодеталей цена радиодетали
PIC16F876A-I/SO Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz   ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
PIC16F876A-I/SO Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход