TL082ID
Сдвоенный ОУ JFET-input
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 7 V ~ 36 V, ±3.5 V ~ 18 V |
| Ток выходной | 1.4mA |
| Напряжение входного смещения | 3000µV |
| Ток - входного смещения | 30pA |
| Полоса пропускания | 3MHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 13 V/µs |
| Число каналов | 2 |
| Тип усилителя | J-FET |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Ток выходной / канал | 40mA |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
TL082 JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS Также в этом файле: TL082ID, TL082IDR
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
3314G-1-103E |
|
Подстроечный резистор 10кОм | BOURNS | 1 763 | 91.51 | |
|
|
|
3314G-1-103E |
|
Подстроечный резистор 10кОм |
|
102.24 | ||
|
|
|
3314G-1-103E |
|
Подстроечный резистор 10кОм | Bourns Inc |
|
|
|
|
|
|
3314G-1-103E |
|
Подстроечный резистор 10кОм | BOURNS |
|
|
|
|
|
|
3314G-1-103E |
|
Подстроечный резистор 10кОм | 0.00 |
|
|
|
| C0805-0,1 МКФ-(+80-20)%-Y5V-50V |
|
|
||||||
| D 68МКФ 10В |
|
|
||||||
 |
|
KP-3216MGC |
|
SMD индикатор | KB |
|
|
|
|
|
|
KP-3216MGC |
|
SMD индикатор | KINGBRIGHT | 2 | 17.20 | |
|
|
|
KP-3216MGC |
|
SMD индикатор |
|
19.84 | ||
|
|
|
KP-3216MGC |
|
SMD индикатор | KGB | 15 078 | 23.76 | |
|
|
|
KP-3216MGC |
|
SMD индикатор | KINGBRIGHT |
|
|
|
|
|
|
KP-3216MGC |
|
SMD индикатор | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
KP-3216MGC |
|
SMD индикатор | UNKNOWN |
|
|
|
| R0805-2 КОМ |
|
|
