| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
4001BR (HEF4001BR) SO14 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
4001BR (HEF4001BR) SO14 |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
BS870 |
|
N-channel enhancement mode field effect transistor
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
BS870 |
|
N-channel enhancement mode field effect transistor
|
|
|
192.00
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
|
22 382
|
1.28
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WTE
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MIC
|
30 102
|
1.97
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
SUNTAN
|
4 740
|
2.58
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YJ
|
24
|
2.95
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
CTK
|
262
|
4.39
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YIXING
|
8 000
|
1.57
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KOME
|
10 440
|
2.45
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
|
|
49.08
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
|
2
|
300.00
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
84
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
1
|
|
|
|
Версия для печати
