|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BS870 |
|
N-channel enhancement mode field effect transistor
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BS870 |
|
N-channel enhancement mode field effect transistor
|
|
|
192.00
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MCC
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
|
21 742
|
1.20
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MIC
|
50 366
|
2.00
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
SUNTAN
|
3 698
|
2.62
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YJ
|
24
|
3.10
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
CTK
|
259
|
4.59
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YIXING
|
8 000
|
1.61
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KOME
|
6 098
|
2.49
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
|
|
275.84
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
|
|
49.08
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC33079D |
|
Микросхема 4х операционный усилитель
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
|
2
|
315.00
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS
|
72
|
60.84
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
84
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
1
|
|
|
|