Версия для печати
Технические характеристики JNR08S200L

Тип	JNR
Область применения	Ограничение пусковых токов
Конструктивное исполнение	Диск
Сопротивление при 25 грд.С, Ом	20
Точность, %	15
Максимальный рабочий ток, А	1
Диаметр корпуса, мм	8

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Датчики, сенсоры

 » 

Датчики температуры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0805-100 1%		ЧИП — резистор (бескорпусный толстопленочный) 100Ом, 1%, 0,125Вт	FAITHFUL LINK
		0805-100 1%		ЧИП — резистор (бескорпусный толстопленочный) 100Ом, 1%, 0,125Вт			1.24
		36MB80A		1 фазный мост 36А 800В	INTERNATIONAL RECTIFIER
		36MB80A		1 фазный мост 36А 800В	VISHAY
		36MB80A		1 фазный мост 36А 800В			600.00
		36MB80A		1 фазный мост 36А 800В	Vishay/Semiconductors
		48CTQ060SPBF		Шоттки Dual 60B 40 A	VISHAY
		48CTQ060SPBF		Шоттки Dual 60B 40 A	Vishay/Semiconductors
		KBPC808		Диодный мост 8A 800B KBPC-8/10	DC COMPONENTS
		KBPC808		Диодный мост 8A 800B KBPC-8/10	VISHAY
		KBPC808		Диодный мост 8A 800B KBPC-8/10		1 741	31.66
		KBPC808		Диодный мост 8A 800B KBPC-8/10	VISHAY/IR
		KBPC808		Диодный мост 8A 800B KBPC-8/10	DIOTEC
		KBPC808		Диодный мост 8A 800B KBPC-8/10	YJ	320	46.49
		KBPC808		Диодный мост 8A 800B KBPC-8/10	LGE	488	33.06
		KBPC808		Диодный мост 8A 800B KBPC-8/10	YANGJIE
		KBPC808		Диодный мост 8A 800B KBPC-8/10	YANGJIE (YJ)
		SPW17N80C3		Полевой транзистор 17A 800В 290мОм	INFINEON
		SPW17N80C3		Полевой транзистор 17A 800В 290мОм			509.00
		SPW17N80C3		Полевой транзистор 17A 800В 290мОм	INFINEON	2
		SPW17N80C3		Полевой транзистор 17A 800В 290мОм	Infineon Technologies
		SPW17N80C3		Полевой транзистор 17A 800В 290мОм	INFINEON TECH

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"