Версия для печати
Технические характеристики BT152-800R

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
SCR Type	Standard Recovery
Voltage - Off State	800V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max)	1.5V
Voltage - On State (Vtm) (Max)	1.75V
Current - On State (It (AV)) (Max)	13A
Current - On State (It (RMS)) (Max)	20A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)	32mA
Current - Hold (Ih) (Max)	60mA
Current - Off State (Max)	1mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	200A, 220A
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

BT152 (Тиристоры) Thyristors Также в этом файле: BT152-800R Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com BT152-800R datasheet 47.64Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Тиристоры

 » 

Тиристоры - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BT145-800R		Тиристор 25A 800В TO220AB	NXP
		BT145-800R		Тиристор 25A 800В TO220AB			89.40
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	DC COMPONENTS	484	198.40
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	MASTER INSTRUMENT CO
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм		37	264.00
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	MIC	240	138.01
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	EUPEK
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	QUAN-HONG
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	GALAXY
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	YJ	2 700	125.51
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	КИТАЙ
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	PS
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	SEP
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	KINGTRONICS
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	GALAXY ME
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	MULTICOMP
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	SSO
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	KLS	5 360	147.60
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	HOTTECH	776	128.44
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	WUXI XUYANG
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	YANGJIE	7 920	102.01
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	YANGJIE (YJ)
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	HYELEC	1 179	185.22
		К73-17-630-1.5 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 1.5 мкФ 630 В			47.64
		К73-17-630-1.5 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 1.5 мкФ 630 В	SUNTAN
		К73-17-630-1.5 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 1.5 мкФ 630 В	КИТАЙ
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт		716	26.95
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	КРЕМНИЙ	1 024	35.70
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	БРЯНСК	1 979	32.00
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	МИНСК
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	УЛЬЯНОВСК
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	RUS
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	ИНТЕГРАЛ
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		12 547	39.38
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	15 063	44.00
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 760	108.24
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"