| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| SCR Type | Standard Recovery |
| Voltage - Off State | 800V |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.5V |
| Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.75V |
| Current - On State (It (AV)) (Max) | 13A |
| Current - On State (It (RMS)) (Max) | 20A |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 32mA |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 60mA |
| Current - Off State (Max) | 1mA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 200A, 220A |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
148 946
|
1.79
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIC
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIC
|
94 358
|
1.30
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC
|
55 436
|
2.94
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JGD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MING SHUN
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
XR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
COMPACT TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
288
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
307 692
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE SEMICONDUCT
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JC
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ
|
173 492
|
1.30
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIG
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ ELE-NIC CORP
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA COM-NTS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ELECTRICAL
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
КИТАЙ
|
800
|
6.12
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
|
1 807
|
3.52
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LGE
|
5 919
|
1.69
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
HOTTECH
|
90 879
|
1.23
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KLS
|
120 000
|
1.97
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YS
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE
|
180 800
|
1.55
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MC
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
WUXI XUYANG
|
3 759
|
1.94
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KUU
|
4
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CHINA
|
15 337
|
1.02
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNRISETRON
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BILIN
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KEHE
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BL
|
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNTAN
|
137 165
|
1.98
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TWGMC
|
20
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
|
BT145-800R |
|
Тиристор 25A 800В TO220AB
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BT145-800R |
|
Тиристор 25A 800В TO220AB
|
|
|
89.40
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.22 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 630 В
|
|
|
15.44
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.22 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 630 В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.22 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 630 В
|
КЗК
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.22 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 630 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.22 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 630 В
|
ПРОМТЕЗКЗК
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.22 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 630 В
|
ПРОМТЕХКЗК
|
|
|
|
|
|
|
КТ818АМ |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
|
311
|
51.04
|
|
|
|
|
КТ818АМ |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
КРЕМНИЙ
|
8
|
550.80
|
|
|
|
|
КТ818АМ |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
БРЯНСК
|
217
|
32.00
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
13 017
|
39.38
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
12 910
|
44.00
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 040
|
108.24
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
Версия для печати
