Версия для печати

2SA940 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Производитель: Wing Shing Electronic //www.wingshing.com 2SA940 datasheet 28.63Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SB546A
		2SB861		Биполярный транзистор Si-P, 200/150V, 2A, 30W	HITACHI
		2SB861		Биполярный транзистор Si-P, 200/150V, 2A, 30W	HIT
		2SB861		Биполярный транзистор Si-P, 200/150V, 2A, 30W		1	96.00

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		24C08-8
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	11.34
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	11 087	4.86
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	7 054	3.90
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		5 600	1.22
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	1 074	1.80
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 600	1.25
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		2SC2073		Биполярный транзистор Si-N (150V, 1,5A, 25W, 4MHz)	FAI/QTC
		2SC2073		Биполярный транзистор Si-N (150V, 1,5A, 25W, 4MHz)	FAIR
		2SC2073		Биполярный транзистор Si-N (150V, 1,5A, 25W, 4MHz)	TOSHIBA
		2SC2073		Биполярный транзистор Si-N (150V, 1,5A, 25W, 4MHz)			34.52
		2SC2073		Биполярный транзистор Si-N (150V, 1,5A, 25W, 4MHz)	TOS
		2SC2073		Биполярный транзистор Si-N (150V, 1,5A, 25W, 4MHz)	FAIRCHILD
		BU808DFI		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W	FAIR
		BU808DFI		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W	ST MICROELECTRONICS
		BU808DFI		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W			212.28
		BU808DFI		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W	-
		BU808DFI		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W	STMicroelectronics
		BU808DFI		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W	КИТАЙ
		LA78040		TV кадpовая pазвеpтка (70V, Ipp=1.8A)	SANYO	26	117.18
		LA78040		TV кадpовая pазвеpтка (70V, Ipp=1.8A)
		LA78040		TV кадpовая pазвеpтка (70V, Ipp=1.8A)
		LA78040		TV кадpовая pазвеpтка (70V, Ipp=1.8A)	SAN

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"