2SB772-TN3-R
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic 1.1V @ 150mA, 3A, Ptot,Вт 12.5W, ft,МГц 100MHz
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.1V @ 150mA, 3A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 2V |
| Power - Max | 12.5W |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-126-3 |
| Корпус | SOT-32-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2SB772 PNP / NPN Epitaxial Planar Transistors
Производитель:
|
