Корпус | S-Mini (2.9x2.5) |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Тип монтажа | Поверхностный |
Frequency - Transition | 80MHz |
Power - Max | 150mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Transistor Type | NPN |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
BEL
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
CDIL
|
551
|
49.68
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
DIOTEC
|
5 072
|
7.55
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
KI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
SOLITRON DEVICES INC
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MICROSEMI CORP
|
5
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
|
29 256
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
BHARAT
|
80
|
71.82
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
SEMTECH
|
16
|
2.23
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
HOTTECH
|
500
|
2.17
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
HXY
|
3 417
|
1.76
|
|
|
|
2SC2655Y |
|
|
TOSHIBA
|
40
|
24.57
|
|
|
|
2SC2655Y |
|
|
|
8
|
68.04
|
|
|
|
2SC2655Y |
|
|
TOSHIBA
|
64
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
323
|
98.28
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
640
|
31.40
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
|
18 640
|
1.08
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
CJ
|
4 621
|
4.13
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
HOTTECH
|
52 207
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
OMRON
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
LGE
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YOUTAI
|
17 336
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
HXY
|
7 584
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
|
1 113
|
5.55
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
КРЕМНИЙ
|
367
|
12.78
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
СВЕТЛАНА
|
21 050
|
4.20
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
РИГА
|
5 372
|
4.20
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|