2SD1275

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SD1275	2	81.60

Версия для печати

Технические характеристики 2SD1275

Корпус	TO-220F-A1
Корпус (размер)	TO-220F
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	20MHz
Power - Max	2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	4000 @ 2A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max)	2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2.5V @ 8mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Current - Collector (Ic) (Max)	2A
Transistor Type	NPN - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SD1275

Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington

Также в этом файле: 2SD1275A

Производитель:
Panasonic Semiconductor
//www.panasonic.co.jp

2SD1275 datasheet
64.66Kb
2стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SD1406Y		TOSHIBA	52	96.90
2SD1406Y
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W		1	159.60
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOSHIBA
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOS
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	КИТАЙ
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	ISCSEMI
AO4620		Alpha & Omega Semiconductor Inc
AO4620
AO4620		A&O
AO4620
HER158 (1.5A 1000V)
MMBD2836LT1		ON SEMICONDUCTOR
MMBD2836LT1		LESHAN RADIO COMPANY
MMBD2836LT1		MOTOROLA
MMBD2836LT1		FRS/MOT
MMBD2836LT1		FRS
MMBD2836LT1			3	5.04
MMBD2836LT1		LESHAN RADIO COMPANY, LTD
MMBD2836LT1		MOTOROLA
MMBD2836LT1		ON SEMICONDUCTOR
MMBD2836LT1		ФИЛИППИНЫ
MMBD2836LT1		ONS