2SD1458

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SD1458		62.56

Версия для печати

Технические характеристики 2SD1458

Корпус	M-A1
Корпус (размер)	M-Type
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	55MHz
Power - Max	1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max)	10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20V
Current - Collector (Ic) (Max)	700mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SD1458 (Универсальные биполярные транзисторы)

Silicon NPN epitaxial planar type

Производитель:
Panasonic Semiconductor
//www.panasonic.co.jp

2SD1458 datasheet
75.53Kb
3стр.