2SD1878
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 5A, 60W
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2SD1878 Silicon Diffused Power Transistor
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD870 | TOSHIBA |
|
|
|||||
| 2SD870 | NO TRADEMARK |
|
|
|||||
 |
 |
BU4507DX |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<350nS | FAIR |
|
|
|
|
|
|
BU4507DX |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<350nS | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BU4507DX |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<350nS | NXP |
|
|
|
|
|
|
BU4507DX |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<350nS | 9 | 309.96 | ||
|
|
|
BU4507DX |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<350nS | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BU4507DX |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<350nS | 1 |
|
|
|
| KSD5072 | SEC |
|
|
|||||
| KSD5072 | FAIR |
|
|
|||||
| KSD5072 | SAMSUNG |
|
|
|||||
| KSD5072 |
|
126.00 |
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LG250M0100BPF-2225 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 250 В | YAGEO | 31 | 23.01 | |||
| LG250M0100BPF-2225 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 250 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| LG250M0100BPF-2225 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 250 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
 |
SE115N |
|
SMPS усилитель ошибки, 115V | SANKEN |
|
|
||
|
|
SE115N |
|
SMPS усилитель ошибки, 115V | SK |
|
|
||
|
|
SE115N |
|
SMPS усилитель ошибки, 115V |
|
58.00 | |||
|
|
SE115N |
|
SMPS усилитель ошибки, 115V | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||
 |
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом) | ST MICROELECTRONICS | 40 | 225.54 | |
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом) | ОРБИТА | 80 | 204.06 | |
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом) | 16 | 350.28 | ||
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом) | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом) | СИНГАПУР |
|
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом) | ST1 |
|
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом) | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом) | ST MICROELECTRO |
|
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом) | 1 |
|
|
|
| ДИХЛОРЭТАН, 30 МЛ |
|
78.00 | ||||||
 |
КТ201БМ | 1 | 7.40 | |||||
|
|
КТ201БМ | СВЕТЛАНА | 800 | 21.48 |
