2SK2232

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SK2232		136.12

Версия для печати

Технические характеристики 2SK2232

Корпус	TO-220NIS
Корпус (размер)	2-10R1B
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	35W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	25A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46 mOhm @ 12A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SK2232 (Полевые МОП транзисторы)

N Channel Mos Type (high Speed, High Voltage Switching, Chopper Regulator, Dc-dc Converter and Motor Drive Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SK2232 datasheet
293.02Kb
5стр.