Версия для печати
Технические характеристики BC560B

Корпус	TO-92-3
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	150MHz
Power - Max	500mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		400	10.50
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	808	12.24
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	СВЕТЛАНА
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	РИГА
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	7 966	12.00
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ПРОХЛАДНЫЙ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	НАЛЬЧИК
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ ЭЛ	8	6.22

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SK216		Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB, 200В, 500мА	HITACHI
		2SK216		Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB, 200В, 500мА	TOSHIBA
		2SK216		Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB, 200В, 500мА
		2SK216		Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB, 200В, 500мА	HIT
		BC560C		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.1A, 0.625W, 250MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BC560C		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.1A, 0.625W, 250MHz			7.16
		BC560C		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.1A, 0.625W, 250MHz	OTHER	1
		BC560C		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.1A, 0.625W, 250MHz	Fairchild Semiconductor
		BC560C		Транзистор биполярный NPN 45V, 0.1A, 0.625W, 250MHz	FSC
		IRF640NPBF		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF640NPBF		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF640NPBF		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INFINEON	3 640	71.83
		IRF640NPBF		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...		600	35.38
		MUR820G		Ультрабыстрый диод 200V 8A	ON SEMICONDUCTOR
		MUR820G		Ультрабыстрый диод 200V 8A	ONS
		MUR820G		Ультрабыстрый диод 200V 8A		390	54.00
		MUR820G		Ультрабыстрый диод 200V 8A	ON SEMICONDUCTOR
		MUR820G		Ультрабыстрый диод 200V 8A	YJ
		MUR820G		Ультрабыстрый диод 200V 8A	ON SEMI
		MUR820G		Ультрабыстрый диод 200V 8A	ONSEMICONDUCTOR
		MUR820G		Ультрабыстрый диод 200V 8A	ON SEMICONDUCTO
		ZTX450STZ			ZETEX
		ZTX450STZ			ZETEX	540

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"