Структура NPN |
Корпус | SOT-143B |
Корпус (размер) | TO-253-4, TO-253AA |
Тип монтажа | Поверхностный |
Current - Collector (Ic) (Max) | 120mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 40mA, 8V |
Power - Max | 400mW |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz |
Frequency - Transition | 9GHz |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Transistor Type | NPN |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
BFG540W (Радиочастотные биполярные транзисторы) NPN 9 GHz wideband transistor Также в этом файле: BFG540W/X, BFG540W/XR
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BB135 | Варикап SOD323 | PHILIPS | ||||||
BB135 | Варикап SOD323 | NXP | ||||||
BB135 | Варикап SOD323 | 504 | 8.80 | |||||
BB135 | Варикап SOD323 | PHILIPS | ||||||
BB135 | Варикап SOD323 | PHILIPS SEMIC | ||||||
BB135 | Варикап SOD323 | NXP | ||||||
BB135 | Варикап SOD323 | 1 | ||||||
FILTER SFZ455A КГЦ ПОЛОС. | MUR | |||||||
MCP1701AT-3302I/CB | CН ``low-drop`` с низким потреблен | MICRO CHIP | ||||||
MCP1701AT-3302I/CB | CН ``low-drop`` с низким потреблен | |||||||
MCP1701AT-3302I/CB | CН ``low-drop`` с низким потреблен | Microchip Technology | ||||||
SJ-B, 20DB , VERTICAL MOUNT, PART3439002 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) | |||||||
SJ-B, 20DB , VERTICAL MOUNT, PART3439002 | PANDA | |||||||
SK025M1000B5S-1019 | Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 25 В | YAGEO | ||||||
SK025M1000B5S-1019 | Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 25 В | YAGEO | ||||||
SK025M1000B5S-1019 | Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 25 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) | ||||||
SK025M1000B5S-1019 | Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 25 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|