|
Корпус | PG-SOT343-4 |
Корпус (размер) | SC-82A, SOT-343 |
Тип монтажа | Поверхностный |
Current - Collector (Ic) (Max) | 25mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 4V |
Power - Max | 75mW |
Gain | 23dB |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.25dB @ 1.8GHz |
Frequency - Transition | 25GHz |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
Transistor Type | NPN |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
BFP405 NPN Silicon RF Transistor (For low current applications For oscillators up to 12 GHz)
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BNC BJ | Высокочастотные разъемы предназначены для соединения и разъединения в электронных ... | BM | ||||||
BNC BJ | Высокочастотные разъемы предназначены для соединения и разъединения в электронных ... | |||||||
GRM188R71A105MA61D | Murata Electronics North America | |||||||
GRM188R71A105MA61D | MUR | |||||||
GRM188R71A105MA61D | ||||||||
GRM188R71A105MA61D | MURATA | 112 | 4.92 | |||||
PVZ3A504A01R00 | Murata Electronics North America | |||||||
PVZ3A504A01R00 | MUR | |||||||
PVZ3A504A01R00 | ||||||||
RLB0914-330KL | Индуктивность 33μH 1,7A 8,7x12mm | BOURNS | ||||||
RLB0914-330KL | Индуктивность 33μH 1,7A 8,7x12mm | 42.40 | ||||||
RLB0914-470KL | Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ... | BOURNS | ||||||
RLB0914-470KL | Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ... | 75.20 | ||||||
RLB0914-470KL | Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ... | ВОURNS |
|