BFQ19

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BFQ19		53.24

Версия для печати

Технические характеристики BFQ19

Frequency - Transition	5.5GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	15V
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Noise Figure (dB Typ @ f)	3.3dB @ 500MHz
Power - Max	1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	25 @ 70mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-243AA
Корпус	SOT-89

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BFQ19S

NPN Silicon RF Transistor (For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and)

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BFQ19 datasheet
32.78Kb
4стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
TSAL6100	Светодиод инфракрасный 5мм ( I=20mA, 25 град., 940nm, d=5mm).	VISHAY
TSAL6100	Светодиод инфракрасный 5мм ( I=20mA, 25 град., 940nm, d=5mm).		8 320	11.11
TSAL6100	Светодиод инфракрасный 5мм ( I=20mA, 25 град., 940nm, d=5mm).	VISHAY
TSAL6100	Светодиод инфракрасный 5мм ( I=20mA, 25 град., 940nm, d=5mm).	Vishay/Semiconductors
АЛ109А1
АЛ109А1		СТАРТ
АЛ109А1
К174УР3			392	12.32
К174УР3		ОРБИТА
К174УР3		ГРАВИТОН	997	12.00
КР531ГГ1			17	43.20
КР531ГГ1		ЭЛЕКТРОПРИБОР
КР531ГГ1		ФРЯЗИНО
КР531ГГ1		ПЛАНЕТА
КР531ГГ1		МОСКВА
СП3-12В-0.125 ВТ 100 КОМ %