BS108

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BS108 (ON SEMICONDUCTOR)	52	7.23
BS108		28.04

Версия для печати

Технические характеристики BS108

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 100mA, 2.8V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	300mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	120pF @ 25V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Корпус	TO-92-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BS108

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BS108 datasheet
54.6Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
11DQ10	Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	VISHAY
11DQ10	Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	INTERNATIONAL RECTIFIER
11DQ10	Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	EIC	2 946	12.10
11DQ10	Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).			28.68
11DQ10	Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	Vishay/Semiconductors
11DQ10	Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).	КИТАЙ
2SK956	Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W	FUJITSU
2SK956	Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W	FUJI ELECTRIC	4	351.90
2SK956	Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W			228.48
2SK956	Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W	FUJI
2SK956	Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W	FUJ
2SK956	Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W	МАЛАЙЗИЯ
40CPQ100PBF	Диод выпрямительныйный Шоттки 100В 40A TO247	VISHAY
40CPQ100PBF	Диод выпрямительныйный Шоттки 100В 40A TO247	Vishay/Semiconductors