BSN254A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSN254A		39.16
BSN254A (КИТАЙ)	4 624	145.70

Версия для печати

Технические характеристики BSN254A

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	310mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 300mA, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	120pF @ 25V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Корпус	TO-92-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSN254

N-channel Enhancement Mode Vertical D-mos Transistor

Также в этом файле: BSN254A

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BSN254A datasheet
69.24Kb
12стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0603-1 5%	ЧИП — резистор	FAITHFUL LINK
0603-1 5%	ЧИП — резистор			1.52 >100 шт. 0.76
CLH1608T-10NJ-N		YAGEO	1	8.62
CLH1608T-10NJ-N				3.00
CLH1608T-10NJ-N		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
CLH1608T-10NJ-N		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
CLH1608T-10NJ-N		CHILISIN
CLH1608T-8N2J-N		YAGEO
CLH1608T-8N2J-N				4.00
CLH1608T-8N2J-N		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
CLH1608T-8N2J-N		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
IRU1117-33CY	СН ``low drop`` ( Vinmax=7V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0.8A)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRU1117-33CY	СН ``low drop`` ( Vinmax=7V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0.8A)			106.00
IRU1117-33CY	СН ``low drop`` ( Vinmax=7V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0.8A)	4-7 НЕДЕЛЬ	452
MRF89XA-I/MQ	ВЧ трансивер для экономичных применений	MICRO CHIP
MRF89XA-I/MQ	ВЧ трансивер для экономичных применений			818.40
MRF89XA-I/MQ	ВЧ трансивер для экономичных применений	Microchip Technology
MRF89XA-I/MQ	ВЧ трансивер для экономичных применений	4-7 НЕДЕЛЬ	568