BSP60
Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 45V 1A 1,5W B>1000
|
|
Версия для печати
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 2.6A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1390pF @ 25V |
| Power - Max | 1.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | PG-SOT223-4 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BSP60 (Биполярные PNP транзисторы Дарлингтона) PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage) Также в этом файле: BSP60BSP62
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805-330 5% |
|
ЧИП — резистор |
|
1.60 >100 шт. 0.80 |
||||
| 0805-8.2K 1% |
|
ЧИП — резистор | 507 |
1.08 >500 шт. 0.36 |
||||
 |
1206-47 1% |
|
ЧИП — резистор |
|
1.44 >500 шт. 0.48 |
|||
| RGP10J | FAIR |
|
|
|||||
| RGP10J | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| RGP10J | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| RGP10J | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| RGP10J | GENERAL SEMICONDUCTOR | 5 141 |
|
|||||
| RGP10J |
|
|
||||||
| RGP10J | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| SSR1N60BTM | FAIR |
|
|
|||||
| SSR1N60BTM | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| SSR1N60BTM | FAIRCHILD | 2 409 |
|
|||||
| SSR1N60BTM | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| SSR1N60BTM |
|
|
