DTA114ES

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
DTA114ES		18.76

Версия для печати

Технические характеристики DTA114ES

Корпус	SPT
Корпус (размер)	SC-72-3, SPT
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	300mW
Frequency - Transition	250MHz
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	10K
Resistor - Base (R1) (Ohms)	10K
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PDTA114ES (Универсальные биполярные PNP транзисторы)

Pnp Resistor-equipped Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

DTA114ES datasheet
73.69Kb
8стр.

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA1348

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
4116R-1-561		Bourns Inc
DTC114ES	NPN DIGITAL, 50V, 50mA, 10/10кОм	ROHM
DTC114ES	NPN DIGITAL, 50V, 50mA, 10/10кОм			16.00
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	NSC
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2			158.28
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	TEXAS INSTRUMENTS
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	TEXAS
PDTB123ES		NXP
PDTB123ES		PHILIPS
PDTB123ES		NXP	5 160
PDTB123ES		PHILIPS	8 666
КС1566ХЛ2			55	28.80
КС1566ХЛ2		RUS