IRC640


Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A, Rds= 180 m R)

Купить IRC640 по цене 254.92 руб.  (без НДС 20%)
IRC640
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRC640 цена радиодетали 254.92 

Версия для печати

Технические характеристики IRC640

Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs180 mOhm @ 11A, 10V
FET FeatureCurrent Sensing
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C18A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V
Power - Max125W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-5
КорпусTO-220-5
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRC640 (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRC640 datasheet
203.7 Кб
АЛ156А

1.76 руб Купить
60CPT045
Сдвоенный диод шотки 45 вольт, 60 ампер (2 х 30а) Высокоэффективный диод Шотки с максимальной температурой перехода 175°C Сверхмалое падение прямого...
Купить
S1053 (5X20 6A 250V)

10.45 руб Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход