IRC640
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A, Rds= 180 m R)
|
Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
IRC640 |
|
254.92
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики IRC640
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
FET Feature | Current Sensing |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Power - Max | 125W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-5 |
Корпус | TO-220-5 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRC640 (MOSFET)
HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
Vishay
|
| ПК16-12И0103 Предназначен для установки на монтажную панель (внутри шкафа) 'Напряжение, В постоянного тока 1-30 переменного тока 1-250 Ток, А постоянный... 1501.60 руб Купить |
| TMA 1212D DC/DC преобразователь для продолжительной работы, монтаж на плату.Выходов 2Мощность 1ВтНапряжение входноге 10. 8 ... 13.2ВНапряжение выходное +/12ВВых... 813.68 руб Купить |
| ULN2003A 7-канальный коммутатор мощных нагрузок на основе транзисторов Дарлингтона (составных) с открытым коллектором. Коммутаторы содержат защитные диоды, что... 51.00 руб Купить |