IRC640
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A, Rds= 180 m R)
|
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| FET Feature | Current Sensing |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-5 |
| Корпус | TO-220-5 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRC640 (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
