IRF630


Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт

IRF630 цена 83.23 руб.  (без НДС 20%)
IRF630 N-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС
IRF630 (INTERNATIONAL RECTIFIER) 80 83.23 
IRF630 (ST MICROELECTRONICS) 384 90.82 
IRF630 (INTERSIL.) 7 3-4 недели
Цена по запросу
IRF630PBF (VISHAY) 216 88.14 

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Напряжение сток/ исток  200В
Ток стока  9А
Диапазон температур  - 55  ...  150оC

Технические характеристики IRF630

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияMESH OVERLAY™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs400 mOhm @ 4.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C9A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds700pF @ 25V
Power - Max75W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru