IRF7316

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7316 (INTERNATIONAL RECTIFIER)	400	86.70
IRF7316 (TECH PUB)	3 295	20.29

Версия для печати

Технические характеристики IRF7316

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 4.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	710pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7316

30V Dual P-channel HexFET Power MOSFET inA SO-8 Package

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF7316 datasheet
103.91Kb
7стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
C1206C154K3RACTU		Kemet
MAX761CSA		MAXIM
MAX761CSA				756.00
MAX761CSA		Maxim Integrated Products
MAX761CSA		MAXIM
PIC18F2525-E/SO		MICRO CHIP
PIC18F2525-E/SO				1 449.20
PIC18F2525-E/SO		Microchip Technology
PIC18F2525-E/SO		ТАИЛАНД
REF191GSZ	Источник опорного напряжения, 2.048В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C	ANALOG DEVICES	19	506.82
REF191GSZ	Источник опорного напряжения, 2.048В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C		2	504.00
REF191GSZ	Источник опорного напряжения, 2.048В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C	ANALOG
REF191GSZ	Источник опорного напряжения, 2.048В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C	Analog Devices Inc
REF191GSZ	Источник опорного напряжения, 2.048В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C	США
REF191GSZ	Источник опорного напряжения, 2.048В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
REF191GSZ	Источник опорного напряжения, 2.048В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C	1
ГТ701А			4	414.72
ГТ701А		ФОТОН	1 585	100.00