Версия для печати
Технические характеристики IRF740S

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1400pF @ 25V
Power - Max	3.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

IRF740S (Мощные полевые МОП транзисторы) N - Channel Powermesh Mosfet Производитель: STMicroelectronics //www.st.com IRF740S datasheet 95.74Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	DC COMPONENTS	385 452	2.00  >100 шт.   1.00
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	DIC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	VISHAY
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	DIOTEC	69 616	3.63
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт		55 314	1.44  >500 шт.   0.48
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	VISHAY
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	UTC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KINGTRONICS
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KINGTRON
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	TSC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	YJ	442 782	1.76  >100 шт.   0.88
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	HOTTECH	352 080	1.92  >100 шт.   0.96
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	YANGJIE
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	YANGJIE (YJ)
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	0.00
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KLS	19 200	3.10
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	JSCJ	71 097	1.54  >100 шт.   0.77
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	1
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	JINGDAO	1 176	1.44  >500 шт.   0.48
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	MDD	200 744	1.44  >500 шт.   0.48
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	JSMICRO	56 676	1.41  >500 шт.   0.47
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	FAIR
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS			56.16
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	FAIRCHILD
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	FAIRCHILD
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	Fairchild Optoelectronics Group
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	STMicroelectronics
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	КИТАЙ
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS INSTRUMENTS
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	FSC
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	FSC1
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRO
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	ONS-FAIR
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	ONS
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	4-7 НЕДЕЛЬ	616
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS	80	28.35
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS	928	24.57
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц			16.04
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	UTC
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMicroelectronics
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ГЕРМАНИЯ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	КИТАЙ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMICROELECTR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	HTC TAEJIN
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	1
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	IDCHIP	652	3.47
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	4-7 НЕДЕЛЬ	482

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"