IRF7831

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7831		210.96
IRF7831 (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	47	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IRF7831

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	21A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	60nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6240pF @ 15V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7831 (Дискретные сигналы)

Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF7831 datasheet
171.23Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAW62		FAIR
BAW62		NATIONAL SEMICONDUCTOR
BAW62		PHILIPS
BAW62		NXP
BAW62
BAW62		NATIONAL SEMICONDUCTOR
BAW62		PHILIPS	36
BAW62		Fairchild Semiconductor
BAW62		FAIRCHILD
BAW62		NXP	2 367
BSS119	Транзистор полевой SMD, MOSFET, N-CH , 100V, 170мA			6.32
IRF7319PBF	Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7319PBF	Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W	INTERNATIONAL RECTIFIER	70
IRF7319PBF	Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W		40
IRF7319PBF	Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W	INFINEON
MMBF170LT1	Power mosfet 500 ma, 60 v n-channel sot-23	ON SEMICONDUCTOR
MMBF170LT1	Power mosfet 500 ma, 60 v n-channel sot-23	ON SEMICONDUCTOR
NDC7003P		FAIR
NDC7003P				88.00
NDC7003P		FAIRCHILD
NDC7003P		FAIRCHILD	9
NDC7003P		Fairchild Semiconductor
NDC7003P		ONS