Версия для печати
Технические характеристики IRF7831

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	21A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	60nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6240pF @ 15V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

IRF7831 (Дискретные сигналы) Power MOSFET Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF7831 datasheet 171.23Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц		3	1 120.00
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	МИНСК
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЕКСАНДРОВ
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	456
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЬФА РИГА
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	NXP
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	VISHAY
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)			32.56
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	PHILIPS
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	EIC
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	КИТАЙ
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	PH / NXP
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	LGE	3 924	2.74
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	SEMTECH
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	PH/NXP	32	25.19
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	LUGUANG	8 893	2.79
		IRFI1010N		Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFI1010N		Транзистор полевой			122.88
		IRFI1010N		Транзистор полевой	INFINEON
		IRLL2705PBF		Полевой транзистор N-канальный 55V 3,8A 2,1W 0,04R	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLL2705PBF		Полевой транзистор N-канальный 55V 3,8A 2,1W 0,04R	INTERNATIONAL RECTIFIER	26
		IRLL2705PBF		Полевой транзистор N-канальный 55V 3,8A 2,1W 0,04R	INFINEON
		IRLL2705PBF		Полевой транзистор N-канальный 55V 3,8A 2,1W 0,04R
		MMFT3055ELT1			MOTOROLA

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"