![]() |
|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 1A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.3A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 190pF @ 15V |
Power - Max | 2W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
IRF9953 (P-канальные транзисторные модули) Power Mosfet
Производитель:
|
![]() | 30EPF06 Р”РСвЂВВВВВВВРѕР҆30Р В Р’В Р РЋРІР‚в„ў 600Р В РІР‚в„ў 60Р Р…РЎРѓ РљСѓРїРСвЂВВВВВВВть |
![]() | MAX232ECSE+ ТрансРСвЂВВВВВВВвер RS-232 Р В Р’В Р РЋР’ВВВВВВВногоканальный +5V, Р РЋР С“ ESD-защРСвЂВВВВВВВтой 15kV РљСѓРїРСвЂВВВВВВВть |
![]() | MAX232DW Двухканальный РїСЂРСвЂВВВВВВВРµРСВВВВВВВВопереРТвЂВВВВВВВатчРСвЂВВВВВВВР С” RS-232 and V.28 (120kbit/s , 2D/2R, C=1uF, Vs=5V, 0 to +70C) РљСѓРїРСвЂВВВВВВВть |
|
Корзина
|