IRFB4710
Транзистор полевой
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 45A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6160pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFB4710 (Дискретные сигналы) Power Mosfet (vdss=100v, Rds (on) max=0.014ohm, Id=75a)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HIP4082IB |
|
80V/1.25A full bridge | INTERSIL |
|
|
||
|
|
HIP4082IB |
|
80V/1.25A full bridge |
|
1 120.00 | |||
|
|
HIP4082IB |
|
80V/1.25A full bridge | INTERSIL | 2 |
|
||
|
|
HIP4082IB |
|
80V/1.25A full bridge | ISIL |
|
|
||
| HIP4082IBZT | INTERSIL |
|
|
|||||
| HIP4082IBZT |
|
400.00 | ||||||
| HIP4082IBZT | INTERSIL |
|
|
|||||
| HIP4082IBZT | RENESAS |
|
|
|||||
| JF0825B2H-001C066R | JAMICON |
|
|
|||||
 |
 |
STW11NK100Z |
|
Транзистор полевой N-канальный | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STW11NK100Z |
|
Транзистор полевой N-канальный |
|
448.00 | ||
|
|
|
STW11NK100Z |
|
Транзистор полевой N-канальный | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STW11NK100Z |
|
Транзистор полевой N-канальный | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STW11NK100Z |
|
Транзистор полевой N-канальный | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STW11NK100Z |
|
Транзистор полевой N-канальный | ST MICROELECTRO |
|
|
