IRFBC30
Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 660pF @ 25V |
| Power - Max | 74W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFBC30 N - Channel Powermesh Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N4007 |
|
DC COMPONENTS | 35 212 | 1.63 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FSC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MCC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DIC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIC | 248 568 | 1.47 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC | 113 253 | 3.07 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JGD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MING SHUN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
QUAN-HONG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
XR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
COMPACT TECHNOLOGY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DC COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD | 288 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR | 1 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT | 307 692 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE SEMICONDUCT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICROSEMI CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KINGTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ | 240 651 | 1.37 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIODES INC. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MOTOROLA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ ELE-NIC CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
RECTIFIER |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA COM-NTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ELECTRICAL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GEMBIRD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТОМИЛИНО |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
КИТАЙ | 800 | 4.54 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
112 256 |
1.72 >100 шт. 0.86 |
|||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS-FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ELZET |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ME |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LGE | 44 868 | 1.03 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
HOTTECH | 334 945 | 2.69 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
KLS | 104 000 | 3.10 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE | 8 800 | 1.58 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE (YJ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
WUXI XUYANG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KUU |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
CHINA | 14 485 | 1.09 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNRISETRON |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
UNKNOWN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BILIN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KEHE |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
1 |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNTAN | 73 388 | 1.94 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
TWGMC | 49 006 |
1.44 >500 шт. 0.48 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
CTK |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JUXING | 115 | 2.02 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ASEMI | 2 260 | 1.16 | ||
 |
|
IRF7301 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7301 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C) |
|
62.40 | ||
|
|
|
IRF7301 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C) | INTERNATIONAL RECTIFIER | 225 |
|
|
|
|
|
IRF7301 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C) | ТАИЛАНД |
|
|
|
|
|
|
IRF7301 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C) | INFINEON |
|
|
|
| IRF7343TR | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRF7343TR | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRF7343TR | INFINEON |
|
|
|||||
| IRF7343TR | VBSEMI | 31 559 | 27.43 | |||||
| IRF7343TR | UMW-YOUTAI |
|
|
|||||
| IRF7343TR | YOUTAI | 27 525 | 17.50 | |||||
 |
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель | 24 080 | 2.42 | ||
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель | МИКРОН |
|
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель | 24 080 | 2.42 | ||
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель | HOTTECH | 3 920 | 3.48 | |
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель | JSMICRO | 5 433 | 2.40 | |
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель | 4-7 НЕДЕЛЬ | 209 |
|
|
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ПРОЗР. 0.5М |
|
|
||||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ПРОЗР. 0.5М | ПОЛЬША |
|
|
|||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ПРОЗР. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
|
|
