IRFBF20

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFBF20	3	337.20

Версия для печати

Технические характеристики IRFBF20

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	490pF @ 25V
Power - Max	54W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFBF20 (N-канальные транзисторные модули)

Power Mosfet (vdss=900v, Rds (on) =8.0ohm, Id=1.7a)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFBF20 datasheet
171.94Kb
6стр.